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读过程(包含预充电步骤)写过程写0写1
DDR为什么要刷新
以上图Cell0为例子
读过程(包含预充电步骤)
首先关闭所有字线，W0，W1…Wn。让所有FET均不导通。然后将位线B0通过预充电开关Precharge（图中未画出）拉到Vcc/2，即VB0=Vcc/2。（这个操作就是预充电Precharge）【读操作，位线，需要预充电至Vcc/2】再断开预充电开关Precharge Switch，停止充电。将W0置为高电平Vcc，此时Cell0的FET导通。
如果原来存储的是1，Cbit电压大于VB0，那么Cbit会对字线B0充电，使得VB0>Vcc/2，此时VB0经过放大器Sense AMP后放大电压到VCC电平，即读出1。
如果原来存储的是0，Cbit电压小于VB0，于是字线B0会对Cbit充电，使得VB0 写过程 写0 首先将位线B0拉低然后将W0拉高，打开FET，Cbit通过B0放电置GND拉低W0，完成写入0 写1 首先将位线B0拉高然后将W0拉高，打开FET，Cbit通过B0充电至VCC拉低W0，完成写入1 DDR为什么要刷新 其实了解了Cell结构，这个答案就很清楚了，DDR的数据保存就是通过Cbit电容保存电荷，因为漏电流的存在，如果长时间不操作Cell，那么电荷就会漏光，保存的数据就没有了。 所以为了保存住数据，需要定期对Cell单元里面的数据进行读取，然后再写入，这个过程就叫刷新。 ———————————————— 版权声明：本文为CSDN博主「硬件工程师炼成之路」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。 原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_42005993/article/details/103864181